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SOI CMOS技术及其应用
题名/责任者:	SOI CMOS技术及其应用 / 黄如等编著
ISBN:	7-03-015968-3 价格： CNY48.00
语种:	汉语
载体形态:	383页 ; 24cm
出版发行:	北京 : 科学出版社, 2005
内容提要:	本书详细分析和阐述SOI MOS器件的主要基本特征和物理效应，包括浮体效应、短沟效应、窄沟效应、边缘效应等。
主题词:	互补MOS集成电路
中图分类法 :	TN432 版次： 4
主要责任者:	黄如编著
主要责任者:	张国艳编著
主要责任者:	李映雪编著
标签:	没有标签
随书附盘：
相关主题:	P沟MOS集成电路离子注入MOS集成电路自对准MOS集成电路半导体集成电路, 场效应型硅栅MOS集成电路增强绝缘衬底上外延硅MOS集成电路 V型槽MOS集成电路 MOS集成电路互补MOS集成电路 N沟MOS集成电路更多...
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