名称: | |
描述: | |
公开/私有: | 公开 私有 |
纳米级CMOS VLSI电路:可制造性设计:design for manufacturability |
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题名/责任者:
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纳米级CMOS VLSI电路 [ 专著] / (美)桑迪普·昆杜(Sandip Kundu),(美)阿斯温·斯雷德哈(Aswin Sreedhar)著 , 潘彪,康旺,蒋林君译 |
ISBN:
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978-7-111-78270-4 价格: CNY79.00 |
语种:
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汉语 |
载体形态:
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216页 : 图 ; 24cm |
出版发行:
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北京 : 机械工业出版社, 2025 |
内容提要:
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本书首先介绍了CMOS VLSI设计的趋势,并简要介绍了可制造性设计和可靠性设计的基本概念;其次介绍了半导体制造的各种工艺步骤,并探讨了工艺与器件偏差以及分辨率增强技术;然后深入研究了半导体制造过程中的各种制造缺陷及其对电路的影响,并讨论了可靠性问题的物理机制及其影响;最后探讨了在电路实现过程中不同阶段采用DFM和DFR方法所带来的变化。 |
主题词:
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CMOS电路 电路设计 |
中图分类法
:
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TN432.02 版次: 5 |
其它题名:
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可制造性设计 |
主要责任者:
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昆杜 著 |
主要责任者:
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斯雷德哈 著 |
次要责任者:
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潘彪 译 |
次要责任者:
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康旺 译 |
次要责任者:
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蒋林君 译 |
附注:
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集成电路大师级系列 CMP BOOOKS |
标签:
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相关资源:
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HEA| |01826nam0 2200313 450 001| |012025062348 010| |▼a978-7-111-78270-4▼dCNY79.00 049| |▼aA500000CQL▼bUCS01013333689▼c2395423 100| |▼a20250728d2025 em y0chiy50 ea 101|1 |▼achi▼ceng 102| |▼aCN▼b110000 105| |▼aa z 000yy 106| |▼ar 200|1 |▼a纳米级CMOS VLSI电路▼9na mi ji CMO- | |S VLSI dian lu▼b专著▼e可制造性设计▼dNa- | |noscale CMOS VLSI circuits▼ede- | |sign for manufacturability▼f(美- | |)桑迪普·昆杜(Sandip Kundu),(美)阿斯温·斯- | |雷德哈(Aswin Sreedhar)著▼g潘彪,康旺,蒋林- | |君译▼zeng 210| |▼a北京▼c机械工业出版社▼d2025 215| |▼a216页▼c图▼d24cm 300| |▼a集成电路大师级系列 CMP BOOOKS 305| |▼a翻译版权由麦格劳-希尔教育(新加坡)有限公司与机械工业出- | |版社所有 330| |▼a本书首先介绍了CMOS VLSI设计的趋势,并简要介绍了- | |可制造性设计和可靠性设计的基本概念;其次介绍了半导体制造的各- | |种工艺步骤,并探讨了工艺与器件偏差以及分辨率增强技术;然后深- | |入研究了半导体制造过程中的各种制造缺陷及其对电路的影响,并讨- | |论了可靠性问题的物理机制及其影响;最后探讨了在电路实现过程中- | |不同阶段采用DFM和DFR方法所带来的变化。 510|1 |▼aNanoscale CMOS VLSI circuits- | |▼edesign for manufacturability▼zeng 517|1 |▼a可制造性设计▼9ke zhi zao xing she ji 606|0 |▼aCMOS电路▼x电路设计 690| |▼aTN432.02▼v5 701| 0|▼c(美)▼a昆杜▼9kun du▼c(Sandip Kundu)▼4著 701| 0|▼c(美)▼a斯雷德哈▼9si lei de ha▼c(As- | |win Sreedhar)▼4著 702| 0|▼a潘彪▼9pan biao▼4译 702| 0|▼a康旺▼9kang wang▼4译 702| 0|▼a蒋林君▼9jiang lin jun▼4译 801| 0|▼aCN▼bzjlib▼c20250815